本品是由多種清洗能力極強(qiáng)的原輔材料精心配制而成的半導(dǎo)體晶圓清洗劑。具有優(yōu)良的去除晶片上有機(jī)污染物、金屬污染物、細(xì)微顆粒、氧化物的能力，而對(duì)半導(dǎo)體基材和鍍膜金屬無腐蝕，不含氨氮和磷,工作液COD<500ppm,環(huán)保安全，廢水處理簡單。

a) 經(jīng)濟(jì)性：本品為濃縮液可稀釋20倍，經(jīng)濟(jì)價(jià)值高。

b) 高效性：能快速溶解晶片上異物，并使其脫落，操作簡單方便。

c) 安全性：對(duì)晶圓基材和鍍膜線路無腐蝕。

d) 環(huán)保性：不含氨氮、磷等禁用物質(zhì)，屬于環(huán)保型產(chǎn)品。 

使用方法

根據(jù)實(shí)際工作條件，可采用浸泡清洗、超聲波清洗等使用方法，一般建議采用原液加溫至45℃～65℃對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間可根據(jù)實(shí)際情況控制在3min～10min左右；清洗完成后用去離子水后超純水清洗，清洗的次數(shù)和時(shí)間由現(xiàn)場工藝要求來決定。

注意事項(xiàng)

勿長時(shí)間接觸皮膚，如不慎濺入眼中，請(qǐng)及時(shí)用水沖洗。